中共中央总体4.器件在100循环测试条件下的开关耐久性。
国务8.器件在无光照情况下SET过程示意图。院印由贸易港6.器件在不同存放时间的稳定性。
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中共中央总体图2.器件阻变性能1.器件典型的伏安特性曲线。国务9.SET电压与光照强度的关系。
院印由贸易港文章连接：ZhiliangChen,YuYu,LufanJin,YifanLi, QingyanLi,TengtengLi,JieLi,HongliangZhao,YatingZhang,HaitaoDai,JianquanYao.Broadbandphotoelectrictunablequantumdotbasedresistiverandomaccessmemory.DOI:10.1039/c9tc06230khttps://doi.org/10.1039/C9TC06230K。
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